¾¦ÉʰìÍ÷
-
- 74LS (SOP)
- 176±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 160±ß¡¢ÀÇ 16±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
1F-A-B¢-A-E
-
- TTL-LS
- 77±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 70±ß¡¢ÀÇ 7±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º J-3-3/I-2-6/H-¥Û-TB-3
-
- TTL-LS
- 77±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 70±ß¡¢ÀÇ 7±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º I-2-7/1F-naidan¢-60
-
- TTL-LS
- 88±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 80±ß¡¢ÀÇ 8±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º J-3-4
-
- TTL-LS
- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º I-3-1
-
- TTL-LS
- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º I-2-8/H-¥¦-091
-
- TTL-LS
- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º J-3-4/H-¤ª-12/H-¤±-15
-
- 74LS (SOP)
- 231±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 210±ß¡¢ÀÇ 21±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
1F-A-B¢-A-E
-
- TTL-LS
- 77±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 70±ß¡¢ÀÇ 7±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º I-3-2/H-¥±-06
-
- TTL-LS
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º I-1-4
-
- TTL-LS
- 132±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 120±ß¡¢ÀÇ 12±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
2WIDE 4INPUT AND-OR-INVERT GATES
74LS I-1-5 -
- TTL-LS
- 121±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 110±ß¡¢ÀÇ 11±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
74LS¡¡¥·¥ê¡¼¥º J-1-5
-
- TTL-LS
- 264±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 240±ß¡¢ÀÇ 24±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
4¥Ó¥Ã¥È ¥Ñ¥é¥ì¥ë¥¢¥¯¥»¥¹ ¥·¥Õ¥È¥ì¥¸¥¹¥¿
74LS I-1-7 -
- µC
- 2,200±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 2,000±ß¡¢ÀÇ 200±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
D-1-1
-
- D-RAM MB8116E
- 418±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 380±ß¡¢ÀÇ 38±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
MOS 16,384-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
A-5-1/H-¥¦-12 -
- £É C
- 550±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 500±ß¡¢ÀÇ 50±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
H-¤¤-21
-
- £É C
- 495±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 450±ß¡¢ÀÇ 45±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
H-¤¤-21
-
- D-RAM
- 715±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 650±ß¡¢ÀÇ 65±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
A-5-2/H-B-2
-
- D-RAM
- 660±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 600±ß¡¢ÀÇ 60±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
A-5-2/H-kaunta_ura-54
-
- S-RAM
- 1,210±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 1,100±ß¡¢ÀÇ 110±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
A-5-5