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-

- FET 2SK363
- 154±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 140±ß¡¢ÀÇ 14±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N channel field effect transistor
-40V/10mA/400mW
F-1-7/kai¢-60 -

- FET 2SK369-BL
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N¥Á¥ã¥ó¥Í¥ëFET¡¡Äã¼þÇÈÄ㻨²»ÁýÉýÍÑ
¥¤¥³¥é¥¤¥¶¥¢¥ó¥×¡¤MC¥Ø¥Ã¥É¥¢¥ó¥×¤Î½éÃʤËŬ¤·¤Þ¤¹
VGDS:-40V,IG:10mA,PD:400mW
IDSSޏŽ×޽:BL(8.0~16.0 mA)
F-1-7/H-Ãæ61/H-60/H-¥Ê/ -

- FET 2SK369-GR
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N¥Á¥ã¥ó¥Í¥ëFET¡¡Äã¼þÇÈÄ㻨²»ÁýÉýÍÑ
¥¤¥³¥é¥¤¥¶¥¢¥ó¥×¡¤MC¥Ø¥Ã¥É¥¢¥ó¥×¤Î½éÃʤËŬ¤·¤Þ¤¹
VGDS:-40V,IG:10mA,PD:400mW
IDSSޏŽ×޽:GR( 5.0~10.0 mA)
F-1-7/H-60/H-¥¿-R-1 -

- FET 2SK372
- 242±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 220±ß¡¢ÀÇ 22±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
N-Channel MOSFET
F-1-7 -

- FET
- 110±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 100±ß¡¢ÀÇ 10±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4
-

- FET
- 198±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 180±ß¡¢ÀÇ 18±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7/H-¥·-73
-

- FET
- 66±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 60±ß¡¢ÀÇ 6±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 220±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 200±ß¡¢ÀÇ 20±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4
-

- FET 2SK494
- 121±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 110±ß¡¢ÀÇ 11±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
Silicon N-Channel Junction FET
Low frequency/High frequency amplifier
F-1-7 -

- FET
- 66±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 60±ß¡¢ÀÇ 6±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 572±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 520±ß¡¢ÀÇ 52±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 572±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 520±ß¡¢ÀÇ 52±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 440±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 400±ß¡¢ÀÇ 40±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 605±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 550±ß¡¢ÀÇ 55±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«ÍÑ F-1-7
-

- FET
- 165±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 150±ß¡¢ÀÇ 15±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-4¡¡µì¥¿¥¤¥×
-

- FET
- 495±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 450±ß¡¢ÀÇ 45±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
¹â®¥¹¥¤¥Ã¥Á¥ó¥¯¡«ÍÑ F-1-7
-

- FET
- 330±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 300±ß¡¢ÀÇ 30±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-7
-

- FET
- 616±ß¡ÊËÜÂβÁ³Ê 560±ß¡¢ÀÇ 56±ß¡Ë
- ¥Ý¥¤¥ó¥È´Ô¸µ¡§1%
F-1-8